هذا الموضوع TSMC تخطط لبدء الإنتاج الضخم لرقاقات بدقة تصنيع 2 نانومتر في 2023 ظهر على التقنية بلا حدود.
كان لشركة TSMC الريادة دائماً في تطوير عملية تصنيع الرقاقات بعملية تصنيع متقدمة، واليوم كشف تقرير جديد على خطط الشركة لبدء الإنتاج الضخم للرقاقات المميزة بدقة تصنيع 2 نانومتر في 2023.
تطور TSMC الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 2 نانومتر بعملية تصنيع ترتكز على معمارية GAA-FET، حيث من المتوقع أن تنتقل هذه الرقاقات لمرحلة الإنتاج الضخم في 2023، لتحقق TSMC من جديد الريادة في عملية تصنيع الرقاقات بعد أن قدمت الشركة عملية تصنيع بدقة 3 و5 نانومتر.
أشار تقرير نشر في الصين إلى أن TSMC تتجه لتغيير معمارية Fin-FET القديمة في عملية التصنيع لإستخدام معمارية GAA-FET، حيث تواجه معمارية Fin-FET بالفعل بعض الصعوبات في عملية تصنيع الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر، ومن المتوقع أن تعلن TSMC رسمياً عن التغيير الجديد خلال حدث الشركة القادم.
وتتيح عملية التصنيع التي ترتكز على دقة 2 ناومتر ضم عدد أكبر من الترانزستور في الشريحة، مما يدعم الشريحة بتوفير آداء أقوى مع إستهلاك أقل للطاقة، كما تعبر 2 نانومتر عن المسافة الفاصلة بين الترانزستور في الشريحة.
يذكر أن TSMC قد رصدت مشكلة في تبديد الحرارة في Fin-FET بدقة تصنيع 3 نانومتر، حيث يؤدي خفض سماكة الشريحة إلى إنخفاض حركة الإلكترون وتسريب التيار، وهي مشكلة تم معالجتها في GAA-FET التي تتحكم في التيار الكهربائي لدعم خفض تسريب التيار.
هذا الموضوع TSMC تخطط لبدء الإنتاج الضخم لرقاقات بدقة تصنيع 2 نانومتر في 2023 ظهر على التقنية بلا حدود.
https://ift.tt/2CBta5n